Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±9mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±73mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 6.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±84mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±42mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: PWM, SENT, Зондты сезу: ±20mT ~ ±100mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 13mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: SPI, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 6.5mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.8V ~ 20V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Зондты сезу: ±0.4mT, ±0.8mT, ±1.2mT, ±1.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.9V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 270µA (Typ),
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±1mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 2.7mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.8mT, Кернеу - жабдықтау: 2.16V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 120µA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±1.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.62V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 140µA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 12mA,
