Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±9mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±73mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Fluxgate, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±2.0mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±85mT, ±88mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±73mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±9mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±20mT ~ ±160mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±30mT ~ ±150mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±67mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 6.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±84mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 10.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8.7mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±1.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.62V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 160µA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±160mT ~ ±230mT, Кернеу - жабдықтау: 2.8V ~ 3.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 0.13µA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: Analog, PWM, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 16mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Кернеу - жабдықтау: 2.2V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Кернеу - жабдықтау: 2.2V ~ 3.6V,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: SPI, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15.5mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Кернеу - жабдықтау: 1.71V ~ 3.6V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2V ~ 25V,
