Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: SENT, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Open Drain, PWM, Зондты сезу: ±50mT ~ ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: SPI, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Кернеу - жабдықтау: 2.2V ~ 3.6V,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: Analog, PWM, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 16mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: SPI, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 16mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Кернеу - жабдықтау: 2.2V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 6mT ~ 650mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.8V ~ 20V,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 12mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±42mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±79mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 4V ~ 10V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4mA (Typ),