Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±21mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±9mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±42mT, ±44mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±18mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±169mT, ±176mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±73mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±39mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±79mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Fluxgate, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±2mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 5.5V,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±42mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±35mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 38V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.6mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±158mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 3.63V, 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Шығу түрі: Open Drain, Зондты сезу: 0.5mT Trip, -0.5mT Release, Кернеу - жабдықтау: 4V ~ 24V, Ағым - жабдықтау (максимум): 12mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: SPI, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 6.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Ағым - жабдықтау (максимум): 20mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 5V ~ 9V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.2mT, Кернеу - жабдықтау: 5V ~ 12V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2V ~ 25V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.2mT, Кернеу - жабдықтау: 5V ~ 12V,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 5V ~ 30V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 1mT ~ 7mT, Кернеу - жабдықтау: 15V, Ағым - жабдықтау (максимум): 1mA,