Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз, алдын-ал

DTD133HKT146
Rohm Semiconductor

DTD133HKT146

Қоршаған бөлік: 2225

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 3.3 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
MMUN2211LT1
ON Semiconductor

MMUN2211LT1

Қоршаған бөлік: 2235

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
FJNS3202RTA
ON Semiconductor

FJNS3202RTA

Қоршаған бөлік: 2305

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
FJV4109RMTF
ON Semiconductor

FJV4109RMTF

Қоршаған бөлік: 2312

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTA115TM3T5G
ON Semiconductor

DTA115TM3T5G

Қоршаған бөлік: 175500

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
SMUN5114T3G
ON Semiconductor

SMUN5114T3G

Қоршаған бөлік: 103215

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
NSBA115TF3T5G
ON Semiconductor

NSBA115TF3T5G

Қоршаған бөлік: 167732

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
FJN3310RBU
ON Semiconductor

FJN3310RBU

Қоршаған бөлік: 3231

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
FJNS4214RTA
ON Semiconductor

FJNS4214RTA

Қоршаған бөлік: 2278

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
DRC9113Z0L
Panasonic Electronic Components

DRC9113Z0L

Қоршаған бөлік: 137116

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DRA5124X0L
Panasonic Electronic Components

DRA5124X0L

Қоршаған бөлік: 162780

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DRA3115T0L
Panasonic Electronic Components

DRA3115T0L

Қоршаған бөлік: 120286

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
UNR421300A
Panasonic Electronic Components

UNR421300A

Қоршаған бөлік: 2157

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DRA3143Z0L
Panasonic Electronic Components

DRA3143Z0L

Қоршаған бөлік: 121377

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DRA9124E0L
Panasonic Electronic Components

DRA9124E0L

Қоршаған бөлік: 120398

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DRC2123E0L
Panasonic Electronic Components

DRC2123E0L

Қоршаған бөлік: 104214

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
UNR9116J0L
Panasonic Electronic Components

UNR9116J0L

Қоршаған бөлік: 2227

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
UNR9211J0L
Panasonic Electronic Components

UNR9211J0L

Қоршаған бөлік: 2207

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
UNR222600L
Panasonic Electronic Components

UNR222600L

Қоршаған бөлік: 2211

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 600mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі
UNR32AM00L
Panasonic Electronic Components

UNR32AM00L

Қоршаған бөлік: 2278

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DDTC114GUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC114GUA-7-F

Қоршаған бөлік: 2229

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
DDTA122TE-7
Diodes Incorporated

DDTA122TE-7

Қоршаған бөлік: 2169

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 220 Ohms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
DDTB122TU-7
Diodes Incorporated

DDTB122TU-7

Қоршаған бөлік: 2153

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 220 Ohms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
DDTA144EUA-7-F
Diodes Incorporated

DDTA144EUA-7-F

Қоршаған бөлік: 2206

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
DDTA143FE-7-F
Diodes Incorporated

DDTA143FE-7-F

Қоршаған бөлік: 188911

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
DDTB114EC-7-F
Diodes Incorporated

DDTB114EC-7-F

Қоршаған бөлік: 102631

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
DDTC115ECA-7
Diodes Incorporated

DDTC115ECA-7

Қоршаған бөлік: 2230

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
DDTD114TC-7-F
Diodes Incorporated

DDTD114TC-7-F

Қоршаған бөлік: 167253

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2305(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 178191

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1104MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV,L3F

Қоршаған бөлік: 171892

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1304,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1304,LF

Қоршаған бөлік: 189

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1405,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1405,LF

Қоршаған бөлік: 146891

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
RN1404,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1404,LF

Қоршаған бөлік: 81

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTC114TCA-TP
Micro Commercial Co

DTC114TCA-TP

Қоршаған бөлік: 175586

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTC115EE,115
NXP USA Inc.

PDTC115EE,115

Қоршаған бөлік: 2181

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTA143TE,115
NXP USA Inc.

PDTA143TE,115

Қоршаған бөлік: 2212

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі