Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз, алдын-ал

DRC3143T0L

Қоршаған бөлік: 170702

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

DRA2522J0L

Қоршаған бөлік: 177989

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 270 Ohms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 5 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі

DRA9A24E0L

Қоршаған бөлік: 166515

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR32A0G0L

Қоршаған бөлік: 2163

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR221D00L

Қоршаған бөлік: 3236

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNRF1A300A

Қоршаған бөлік: 2169

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

UNR521500L

Қоршаған бөлік: 2164

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

RN1114MFV,L3F

Қоршаған бөлік: 180

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1425TE85LF

Қоршаған бөлік: 187011

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 470 Ohms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101,LF(CT

Қоршаған бөлік: 133670

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTC144WCA-7-F

Қоршаған бөлік: 123911

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTD133HU-7-F

Қоршаған бөлік: 166740

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 3.3 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTA123YE-7-F

Қоршаған бөлік: 128574

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTA115TE-7-F

Қоршаған бөлік: 151206

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTA124ECA-7

Қоршаған бөлік: 2193

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTA114TUA-7

Қоршаған бөлік: 2181

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTC124ECA-7

Қоршаған бөлік: 2183

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTB142TC-7

Қоршаған бөлік: 2154

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 470 Ohms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTA144EE-7

Қоршаған бөлік: 5385

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTA115GUA-7

Қоршаған бөлік: 2110

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTB143EC-7-F

Қоршаған бөлік: 174690

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTA124GUA-7-F

Қоршаған бөлік: 122851

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTC114TUA-7

Қоршаған бөлік: 3299

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTC143ZE-7

Қоршаған бөлік: 2189

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

FJN4313RTA

Қоршаған бөлік: 2226

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DTC144TET1G

Қоршаған бөлік: 113567

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

MUN2136T1

Қоршаған бөлік: 3271

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

FJNS4205RBU

Қоршаған бөлік: 2250

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DTA144TT1

Қоршаған бөлік: 2278

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

NSBC114EF3T5G

Қоршаған бөлік: 140567

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

FJV3109RMTF

Қоршаған бөлік: 2278

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

FJNS4205RTA

Қоршаған бөлік: 2275

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

FJX3008RTF

Қоршаған бөлік: 179814

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі