Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - массивтер

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - массивтер
SI5944DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5944DU-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2715

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI1016X-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1016X-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2759

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 485mA, 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI5904DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5904DC-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2807

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI9936BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9936BDY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2872

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
VQ2001P-2
Vishay Siliconix

VQ2001P-2

Қоршаған бөлік: 2875

FET түрі: 4 P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

Тілектер тізімі
SIA911DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA911DJ-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2844

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4814BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4814BDY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 3376

FET түрі: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A, 10.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4818DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4818DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2835

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI7904DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7904DN-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2818

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA,

Тілектер тізімі
SI5920DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5920DC-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2868

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI5519DU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5519DU-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2823

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI1903DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1903DL-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2791

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI1905DL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1905DL-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2724

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 570mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI6983DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6983DQ-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2714

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA,

Тілектер тізімі
VQ2001P
Vishay Siliconix

VQ2001P

Қоршаған бөлік: 2906

FET түрі: 4 P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 12V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

Тілектер тізімі
SI4947ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4947ADY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2852

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI1913DH-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1913DH-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2766

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

Тілектер тізімі
SI4276DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4276DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2851

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 9.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI3905DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3905DV-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2849

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI4913DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4913DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2852

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA,

Тілектер тізімі
SI3909DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3909DV-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2826

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI4944DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4944DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2874

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4933DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4933DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2815

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA,

Тілектер тізімі
SI7909DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7909DN-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2908

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 700µA,

Тілектер тізімі
SI7844DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7844DP-T1-E3

Қоршаған бөлік: 3302

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4567DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4567DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2812

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A, 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI7214DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7214DN-T1-E3

Қоршаған бөлік: 99156

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4532ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4532ADY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 139238

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
SI5513DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5513DC-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2794

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.1A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI5947DU-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5947DU-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2793

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI7909DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7909DN-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2903

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 700µA,

Тілектер тізімі
SIZ914DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ914DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 89189

FET түрі: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A, 40A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 19A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4834BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4834BDY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2745

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SIB911DK-T1-E3
Vishay Siliconix

SIB911DK-T1-E3

Қоршаған бөлік: 2804

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI7224DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7224DN-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 139892

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SMMB911DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SMMB911DK-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 2878

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі