Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Үй
Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Texas Instruments

CSD16340Q3

Қоршаған бөлік: 155301

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17579Q3A

Қоршаған бөлік: 156545

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25484F4

Қоршаған бөлік: 145376

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 500mA, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17483F4

Қоршаған бөлік: 116376

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD13202Q2

Қоршаған бөлік: 108785

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD15380F3

Қоршаған бөлік: 175405

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1190 mOhm @ 100mA, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16323Q3

Қоршаған бөлік: 159492

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 24A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17527Q5A

Қоршаған бөлік: 156659

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 11A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17501Q5A

Қоршаған бөлік: 87988

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25310Q2

Қоршаған бөлік: 158694

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18531Q5A

Қоршаған бөлік: 100811

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 22A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD22202W15

Қоршаған бөлік: 183526

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD23381F4

Қоршаған бөлік: 140192

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17484F4

Қоршаған бөлік: 124610

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121 mOhm @ 500mA, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25484F4T

Қоршаған бөлік: 191418

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 500mA, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17510Q5A

Қоршаған бөлік: 153395

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25481F4

Қоршаған бөлік: 177069

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 500mA, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD23202W10

Қоршаған бөлік: 178668

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17308Q3

Қоршаған бөлік: 174085

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 44A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3 mOhm @ 10A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16322Q5

Қоршаған бөлік: 145766

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 97A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD13381F4

Қоршаған бөлік: 132010

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16321Q5

Қоршаған бөлік: 95536

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD13201W10

Қоршаған бөлік: 125239

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17552Q5A

Қоршаған бөлік: 175536

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25402Q3A

Қоршаған бөлік: 198958

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17484F4T

Қоршаған бөлік: 164993

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121 mOhm @ 500mA, 8V,

Тілектер тізімі

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»