Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Үй
Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Texas Instruments

CSD17310Q5A

Қоршаған бөлік: 186196

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17322Q5A

Қоршаған бөлік: 175024

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 87A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 14A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25301W1015

Қоршаған бөлік: 1570

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 1A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18511Q5AT

Қоршаған бөлік: 72702

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 159A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 24A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16410Q5A

Қоршаған бөлік: 168761

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 59A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 17A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

TPS1100DR

Қоршаған бөлік: 110675

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 15V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16409Q3

Қоршаған бөлік: 183562

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 17A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16413Q5A

Қоршаған бөлік: 126395

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 24A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16342Q5A

Қоршаған бөлік: 160946

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 20A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD13302WT

Қоршаған бөлік: 172294

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18512Q5B

Қоршаған бөлік: 87999

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 211A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16412Q5A

Қоршаған бөлік: 122662

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 52A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD19533KCS

Қоршаған бөлік: 40073

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 55A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25202W15

Қоршаған бөлік: 127847

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17318Q2

Қоршаған бөлік: 9956

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 8A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD13306W

Қоршаған бөлік: 148806

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD22204W

Қоршаған бөлік: 144639

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25501F3

Қоршаған бөлік: 9957

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16322Q5C

Қоршаған бөлік: 132465

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 97A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD15571Q2

Қоршаған бөлік: 136906

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD23203W

Қоршаған бөлік: 167971

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16407Q5C

Қоршаған бөлік: 82138

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD13303W1015

Қоршаған бөлік: 183258

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD13302W

Қоршаған бөлік: 105207

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17318Q2T

Қоршаған бөлік: 9963

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 8A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25211W1015

Қоршаған бөлік: 143770

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16408Q5C

Қоршаған бөлік: 106348

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 113A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17313Q2T

Қоршаған бөлік: 181581

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25303W1015

Қоршаған бөлік: 1058

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18533Q5AT

Қоршаған бөлік: 71045

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18541F5T

Қоршаған бөлік: 159917

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25201W15

Қоршаған бөлік: 921

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18504KCS

Қоршаған бөлік: 47320

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 53A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 40A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18537NKCS

Қоршаған бөлік: 53545

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

TPS1101D

Қоршаған бөлік: 25491

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 15V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25302Q2

Қоршаған бөлік: 884

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V,

Тілектер тізімі

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»