Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Үй
Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Texas Instruments

CSD25401Q3

Қоршаған бөлік: 667

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD22206WT

Қоршаған бөлік: 123191

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD19506KCS

Қоршаған бөлік: 14126

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD23201W10

Қоршаған бөлік: 723

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD19535KCS

Қоршаған бөлік: 21309

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 150A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18535KTTT

Қоршаған бөлік: 24381

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200A (Ta), 279A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD23203WT

Қоршаған бөлік: 199555

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD19503KCS

Қоршаған бөлік: 41236

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18532Q5BT

Қоршаған бөлік: 40213

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18531Q5AT

Қоршаған бөлік: 55771

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 22A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17559Q5

Қоршаған бөлік: 59831

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 mOhm @ 40A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16414Q5

Қоршаған бөлік: 79433

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 34A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD25485F5T

Қоршаған бөлік: 17362

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 900mA, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD19538Q3A

Қоршаған бөлік: 137241

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18534KCS

Қоршаған бөлік: 47342

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 40A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16401Q5

Қоршаған бөлік: 67501

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17301Q5A

Қоршаған бөлік: 101004

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17552Q3A

Қоршаған бөлік: 186191

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17522Q5A

Қоршаған бөлік: 146931

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 87A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 14A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17581Q3A

Қоршаған бөлік: 198233

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17577Q5A

Қоршаған бөлік: 147774

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17553Q5A

Қоршаған бөлік: 124018

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 23.5A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17578Q5AT

Қоршаған бөлік: 133644

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17585F5

Қоршаған бөлік: 192824

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.9A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 900mA, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD18504Q5AT

Қоршаған бөлік: 100924

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 17A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD22204WT

Қоршаған бөлік: 179951

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 8V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD19538Q2T

Қоршаған бөлік: 164208

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13.1A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD13385F5

Қоршаған бөлік: 112440

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 900mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD23382F4T

Қоршаған бөлік: 164186

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17313Q2Q1

Қоршаған бөлік: 147202

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17571Q2

Қоршаған бөлік: 172113

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16325Q5C

Қоршаған бөлік: 73079

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16323Q3C

Қоршаған бөлік: 145322

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 24A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17306Q5A

Қоршаған бөлік: 132830

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 22A, 8V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD17507Q5A

Қоршаған бөлік: 69833

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 65A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 11A, 10V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD16325Q5

Қоршаған бөлік: 80364

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 33A (Ta), 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 8V,

Тілектер тізімі

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»