Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 1

HTNFET-D

Қоршаған бөлік: 199

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Honeywell Aerospace

HTNFET-T

Қоршаған бөлік: 199

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

Қоршаған бөлік: 211

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі

Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

Қоршаған бөлік: 199

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі