Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2.4V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 25mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.8V ~ 10V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2V ~ 25V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.2mT, Кернеу - жабдықтау: 2.7V ~ 5.2V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.8V ~ 20V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.8mT, Кернеу - жабдықтау: 2.16V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 100µA (Typ),
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.2mT, Кернеу - жабдықтау: 5V ~ 12V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.2mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2.5V ~ 3.3V, Ағым - жабдықтау (максимум): 80µA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.8V ~ 12V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Зондты сезу: ±0.8mT, Кернеу - жабдықтау: 2.16V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 100µA (Typ),
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2V ~ 20V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 2V ~ 25V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.6mT, Кернеу - жабдықтау: 1.8V ~ 20V,
Технология: Magnetoresistive, Ось: Single, Шығу түрі: Wheatstone Bridge, Зондты сезу: ±0.2mT, Кернеу - жабдықтау: 5V ~ 12V,
