| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 55V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | - |
| Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| FET ерекшелігі | - |
| Қуатты бөлу (максимум) | 50W (Tj) |
| Жұмыс температурасы | - |
| Монтаж түрі | Through Hole |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | - |
| Пакет / Корпус | - |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
