Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Диодтар - түзеткіштер - жалғыз

8ETU04
Vishay Semiconductor Diodes Division

8ETU04

Қоршаған бөлік: 150

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 60ns,

Тілектер тізімі
8TQ100STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

Қоршаған бөлік: 128

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 720mV @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8TQ080STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

Қоршаған бөлік: 5547

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 80V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 720mV @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8TQ080STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

Қоршаған бөлік: 144

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 80V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 720mV @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8EWS10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

Қоршаған бөлік: 184

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 8A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8EWS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

Қоршаған бөлік: 175

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 8A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8EWS10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

Қоршаған бөлік: 175

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 8A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8EWS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

Қоршаған бөлік: 126

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 8A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8EWS08STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

Қоршаған бөлік: 197

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 8A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8EWF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

Қоршаған бөлік: 5071

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 270ns,

Тілектер тізімі
8EWF12STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

Қоршаған бөлік: 126

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 270ns,

Тілектер тізімі
8EWF06STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

Қоршаған бөлік: 142

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.2V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 140ns,

Тілектер тізімі
8EWF06STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

Қоршаған бөлік: 182

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.2V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 140ns,

Тілектер тізімі
8EWF04STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

Қоршаған бөлік: 133

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.2V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 140ns,

Тілектер тізімі
8EWF04STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

Қоршаған бөлік: 164

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.2V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 140ns,

Тілектер тізімі
8EWF02STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

Қоршаған бөлік: 174

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.2V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 140ns,

Тілектер тізімі
8EWF02STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

Қоршаған бөлік: 100

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.2V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 140ns,

Тілектер тізімі
8AF4NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

Қоршаған бөлік: 131

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 50A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8AF1RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

Қоршаған бөлік: 115

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 50A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8AF05RPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

Қоршаған бөлік: 5075

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 50A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05NPP

Қоршаған бөлік: 119

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 50V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 50A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS12

Қоршаған бөлік: 112

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 80A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.17V @ 80A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS08

Қоршаған бөлік: 133

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 80A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.17V @ 80A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF12

Қоршаған бөлік: 126

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 80A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.35V @ 80A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 480ns,

Тілектер тізімі
80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF10

Қоршаған бөлік: 66

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 80A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.35V @ 80A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 480ns,

Тілектер тізімі
80EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF06

Қоршаған бөлік: 72

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 80A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 80A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 190ns,

Тілектер тізімі
80EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF02

Қоршаған бөлік: 115

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 80A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 80A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 190ns,

Тілектер тізімі
80EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF04

Қоршаған бөлік: 115

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 400V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 80A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.25V @ 80A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 190ns,

Тілектер тізімі
8EWF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10S

Қоршаған бөлік: 68

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1000V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 270ns,

Тілектер тізімі
8EWF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12S

Қоршаған бөлік: 20

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 1200V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.3V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 270ns,

Тілектер тізімі
8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100S

Қоршаған бөлік: 10015

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 100V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 720mV @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080S

Қоршаған бөлік: 9992

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 80V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 720mV @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ060

Қоршаған бөлік: 10041

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 60V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 720mV @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8TQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080

Қоршаған бөлік: 5059

Диод түрі: Schottky, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 80V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 720mV @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8EWS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08S

Қоршаған бөлік: 10060

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 800V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.1V @ 8A, Жылдамдық: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Тілектер тізімі
8EWF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06S

Қоршаған бөлік: 10034

Диод түрі: Standard, Кернеу - тұрақты керісінше (Vr) (максимум): 600V, Ағымдағы - орташа түзетілген (Io): 8A, Кернеу - Алға (Vf) (Макс) @ Егер: 1.2V @ 8A, Жылдамдық: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Кері қалпына келтіру уақыты (trr): 140ns,

Тілектер тізімі