Оптикалық сенсорлар - Фотоинтертерлер - Ұяшық түрі

OPB390L55Z

Қоршаған бөлік: 17963

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB315L

Қоршаған бөлік: 17760

Қашықтықты сезу: 0.900" (22.86mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB826S

Қоршаған бөлік: 11879

Қашықтықты сезу: 0.090" (2.29mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: 2 NPN, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB890T11Z

Қоршаған бөлік: 17253

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB892T55Z

Қоршаған бөлік: 20989

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB821TX

Қоршаған бөлік: 354

Қашықтықты сезу: 0.080" (2.03mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB315WZ

Қоршаған бөлік: 13075

Қашықтықты сезу: 0.900" (22.86mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB871T55

Қоршаған бөлік: 37814

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB350

Қоршаған бөлік: 16851

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Liquid, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB365T55

Қоршаған бөлік: 28731

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB890T55Z

Қоршаған бөлік: 21145

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB832W55Z

Қоршаған бөлік: 18901

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB820S10

Қоршаған бөлік: 26448

Қашықтықты сезу: 0.080" (2.03mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPS667

Қоршаған бөлік: 61604

Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB847TX

Қоршаған бөлік: 316

Қашықтықты сезу: 0.100" (2.54mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB350C125Z

Қоршаған бөлік: 11380

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Liquid, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB380N11Z

Қоршаған бөлік: 18682

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EAITRDA1

Қоршаған бөлік: 167100

ITR9808-F/T

Қоршаған бөлік: 119326

Шығыс конфигурациясы: Phototransistor,

EE-SJ3-D

Қоршаған бөлік: 10598

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX1103

Қоршаған бөлік: 36621

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SA107-P2

Қоршаған бөлік: 12472

Қашықтықты сезу: 0.142" (3.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SH3-CS

Қоршаған бөлік: 18915

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX1096-W11

Қоршаған бөлік: 5780

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX199

Қоршаған бөлік: 22006

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SH3-G

Қоршаған бөлік: 17615

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

RPI-579

Қоршаған бөлік: 68438

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

RPI-579N1

Қоршаған бөлік: 64327

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

RPI-0352E

Қоршаған бөлік: 190273

Қашықтықты сезу: 3mm, Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 10mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 920µA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

GP1S196HCZ0F

Қоршаған бөлік: 151

Қашықтықты сезу: 0.043" (1.1mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 30mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

H22A3

Қоршаған бөлік: 37428

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5.5mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX953-R 3M

Қоршаған бөлік: 2072

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 24V,

HOA0866-T55

Қоршаған бөлік: 13102

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Transistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

HOA1874-012

Қоршаған бөлік: 10364

Қашықтықты сезу: 0.120" (3.05mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

HOA1870-031

Қоршаған бөлік: 6763

Қашықтықты сезу: 0.070" (1.78mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

GP1S39

Қоршаған бөлік: 5870

Қашықтықты сезу: 0.059" (1.5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,