Оптикалық сенсорлар - Фотоинтертерлер - Ұяшық түрі

EE-SX953-R 1M

Қоршаған бөлік: 2774

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 24V,

EE-SX952P-W 1M

Қоршаған бөлік: 2890

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 24V,

OPB881T55Z

Қоршаған бөлік: 18769

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB875T51

Қоршаған бөлік: 38821

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB816Z

Қоршаған бөлік: 20327

Қашықтықты сезу: 0.200" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB840L55

Қоршаған бөлік: 32126

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB375L11

Қоршаған бөлік: 30910

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB801W55Z

Қоршаған бөлік: 18652

Қашықтықты сезу: 0.375" (9.53mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB370T51

Қоршаған бөлік: 32354

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB810L51

Қоршаған бөлік: 32570

Қашықтықты сезу: 0.375" (9.53mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB360L11

Қоршаған бөлік: 29481

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB870P55

Қоршаған бөлік: 35924

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB360N11

Қоршаған бөлік: 30654

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB856Z

Қоршаған бөлік: 2590

Қашықтықты сезу: 12" (304.8mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB881T51Z

Қоршаған бөлік: 18954

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB811L55

Қоршаған бөлік: 34907

Қашықтықты сезу: 0.375" (9.53mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB826SD

Қоршаған бөлік: 8970

Қашықтықты сезу: 0.090" (2.29mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: 2 NPN, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB829AZ

Қоршаған бөлік: 21251

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB806

Қоршаған бөлік: 24409

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

OPB853A3

Қоршаған бөлік: 25107

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Photodarlington, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX129

Қоршаған бөлік: 14862

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX1041

Қоршаған бөлік: 26774

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX1105

Қоршаған бөлік: 36692

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX1061

Қоршаған бөлік: 34477

Қашықтықты сезу: 0.142" (3.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX1070

Қоршаған бөлік: 22419

Қашықтықты сезу: 0.315" (8mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX1071

Қоршаған бөлік: 24563

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SA104

Қоршаған бөлік: 21185

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EE-SX1031

Қоршаған бөлік: 9457

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: 2 NPN, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EAITRCA1

Қоршаған бөлік: 118862

ITR8105

Қоршаған бөлік: 142779

Қашықтықты сезу: 0.102" (2.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Transistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

ITR8402-F-A

Қоршаған бөлік: 169972

Қашықтықты сезу: 0.236" (6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Transistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

EAITRDA3

Қоршаған бөлік: 192743

TCUT1600X01

Қоршаған бөлік: 88439

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 25mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V,

GP1S396HCPSF

Қоршаған бөлік: 198773

Қашықтықты сезу: 0.047" (1.2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: NPN - Open Collector, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 30mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V,

HOA1886-012

Қоршаған бөлік: 10481

Қашықтықты сезу: 0.200" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

HOA1875-001

Қоршаған бөлік: 5501

Қашықтықты сезу: 0.200" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,