Оптикалық сенсорлар - Фотоинтертерлер - Ұяшық түрі

EE-SX1160-W11

Қоршаған бөлік: 5407

Қашықтықты сезу: 0.374" (9.5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

EE-SX1088-W11

Қоршаған бөлік: 5667

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

EE-SX1018

Қоршаған бөлік: 20635

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

EE-SG3

Қоршаған бөлік: 13113

Қашықтықты сезу: 0.142" (3.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

EE-SX1025

Қоршаған бөлік: 19938

Қашықтықты сезу: 0.110" (2.8mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

EE-SX1046

Қоршаған бөлік: 16742

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RPI-352

Қоршаған бөлік: 67268

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RPI-579N1E

Қоршаған бөлік: 77924

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

RPI-441C1E

Қоршаған бөлік: 73982

Қашықтықты сезу: 0.157" (4mm), Шығыс конфигурациясы: Transistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB880P51Z

Қоршаған бөлік: 19207

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB870T51

Қоршаған бөлік: 39037

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB200

Қоршаған бөлік: 56362

Қашықтықты сезу: 0.201" (5.1mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB380T11Z

Қоршаған бөлік: 17763

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB847

Қоршаған бөлік: 36452

Қашықтықты сезу: 0.100" (2.54mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB832W51Z

Қоршаған бөлік: 17271

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB810W51Z

Қоршаған бөлік: 19241

Қашықтықты сезу: 0.375" (9.53mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB802W55Z

Қоршаған бөлік: 18891

Қашықтықты сезу: 0.375" (9.53mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB802L55

Қоршаған бөлік: 33473

Қашықтықты сезу: 0.375" (9.53mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB390T55Z

Қоршаған бөлік: 17953

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB859

Қоршаған бөлік: 28278

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB866P55

Қоршаған бөлік: 31610

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB830L51

Қоршаған бөлік: 32437

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

OPB870L51

Қоршаған бөлік: 40316

Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

EE-SX970P-C1

Қоршаған бөлік: 2407

Қашықтықты сезу: 0.020" (0.5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

EE-SX953-W 1M

Қоршаған бөлік: 2901

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 24V,

Тілектер тізімі

EE-SX950-W 1M

Қоршаған бөлік: 2874

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 24V,

Тілектер тізімі

EE-SX953P-W 1M

Қоршаған бөлік: 2947

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 24V,

Тілектер тізімі