Транзисторлар - FET, MOSFET - массивтер

SP8K2TB

Қоршаған бөлік: 195188

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Тілектер тізімі

SH8K15TB1

Қоршаған бөлік: 137046

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Тілектер тізімі

QS8K11TCR

Қоршаған бөлік: 198738

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Тілектер тізімі

US6M1TR

Қоршаған бөлік: 141982

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.4A, 1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Тілектер тізімі

SH8M13GZETB

Қоршаған бөлік: 173570

FET түрі: N and P-Channel, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Тілектер тізімі

SI1965DH-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 150223

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SI1016X-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 135127

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 485mA, 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SI6926ADQ-T1-E3

Қоршаған бөлік: 129467

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SI1023CX-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 136072

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SQ3989EV-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 124228

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SI4670DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 139899

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SIZ300DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 146800

FET түрі: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A, 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SI7540ADP-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 87195

FET түрі: N and P-Channel, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A, 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SI4943CDY-T1-E3

Қоршаған бөлік: 89694

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SQJ992EP-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 130455

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56.2 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SQJ570EP-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 165202

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), 9.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі

SI5902BDC-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 125173

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі

Taiwan Semiconductor Corporation

SQ1539EH-T1_GE3

Қоршаған бөлік: 2491

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 850mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 10V, 940 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

Қоршаған бөлік: 104906

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 230mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

Қоршаған бөлік: 162696

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD85302L

Қоршаған бөлік: 146505

FET түрі: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ерекшелігі: Standard,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

CSD86360Q5D

Қоршаған бөлік: 67326

FET түрі: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Тілектер тізімі

TSM200N03DPQ33 RGG

Қоршаған бөлік: 2506

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі

FDMA1023PZ

Қоршаған бөлік: 100824

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі

FDS8958B

Қоршаған бөлік: 194401

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.4A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі

NVMFD5485NLT3G

Қоршаған бөлік: 94178

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі

NTJD4158CT1G

Қоршаған бөлік: 159746

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 250mA, 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Тілектер тізімі

EFC6612R-TF

Қоршаған бөлік: 157184

FET түрі: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

Тілектер тізімі

IRF7105TRPBF

Қоршаған бөлік: 196914

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі

IPG16N10S4L61AATMA1

Қоршаған бөлік: 195154

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA,

Тілектер тізімі

IPG20N06S4L14ATMA2

Қоршаған бөлік: 126778

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

Тілектер тізімі