Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - массивтер

FDG6301N
ON Semiconductor

FDG6301N

Қоршаған бөлік: 168456

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 220mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
FDC6561AN
ON Semiconductor

FDC6561AN

Қоршаған бөлік: 139456

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
NVMFD5C680NLT1G
ON Semiconductor

NVMFD5C680NLT1G

Қоршаған бөлік: 9923

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA,

Тілектер тізімі
FDS8947A
ON Semiconductor

FDS8947A

Қоршаған бөлік: 2987

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
FDML7610S
ON Semiconductor

FDML7610S

Қоршаған бөлік: 100177

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A, 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
NTJD4152PT2G
ON Semiconductor

NTJD4152PT2G

Қоршаған бөлік: 174011

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
NTMD6N02R2G
ON Semiconductor

NTMD6N02R2G

Қоршаған бөлік: 152790

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.92A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
NVMD6N04R2G
ON Semiconductor

NVMD6N04R2G

Қоршаған бөлік: 160815

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
NVMFD5C672NLT1G
ON Semiconductor

NVMFD5C672NLT1G

Қоршаған бөлік: 262

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA,

Тілектер тізімі
FDMD8260LET60
ON Semiconductor

FDMD8260LET60

Қоршаған бөлік: 41547

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
NDS9952A
ON Semiconductor

NDS9952A

Қоршаған бөлік: 160596

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

Тілектер тізімі
FDMS3622S
ON Semiconductor

FDMS3622S

Қоршаған бөлік: 105683

FET түрі: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17.5A, 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
FDMS3610S
ON Semiconductor

FDMS3610S

Қоршаған бөлік: 116056

FET түрі: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17.5A, 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
FDC6302P
ON Semiconductor

FDC6302P

Қоршаған бөлік: 184685

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 120mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
ECH8649-TL-H
ON Semiconductor

ECH8649-TL-H

Қоршаған бөлік: 2942

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V,

Тілектер тізімі
ECH8601M-TL-H-P
ON Semiconductor

ECH8601M-TL-H-P

Қоршаған бөлік: 2925

FET түрі: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 24V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

Тілектер тізімі
FDS9945
ON Semiconductor

FDS9945

Қоршаған бөлік: 120654

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
NTMFD4901NFT1G
ON Semiconductor

NTMFD4901NFT1G

Қоршаған бөлік: 126984

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10.3A, 17.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
GWM100-01X1-SLSAM
IXYS

GWM100-01X1-SLSAM

Қоршаған бөлік: 2795

FET түрі: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
CTLDM7120-M832DS TR
Central Semiconductor Corp

CTLDM7120-M832DS TR

Қоршаған бөлік: 136453

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA,

Тілектер тізімі
DMC3016LDV-7
Diodes Incorporated

DMC3016LDV-7

Қоршаған бөлік: 175686

FET түрі: N and P-Channel Complementary, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
DMN3016LDV-7
Diodes Incorporated

DMN3016LDV-7

Қоршаған бөлік: 157491

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Тілектер тізімі
DMN63D8LDWQ-7
Diodes Incorporated

DMN63D8LDWQ-7

Қоршаған бөлік: 161902

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 220mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
DMN2004DWK-7
Diodes Incorporated

DMN2004DWK-7

Қоршаған бөлік: 161664

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Тілектер тізімі
PMDPB56XNEAX
Nexperia USA Inc.

PMDPB56XNEAX

Қоршаған бөлік: 198127

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

Тілектер тізімі
STS5DPF20L
STMicroelectronics

STS5DPF20L

Қоршаған бөлік: 89710

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
STL20DNF06LAG
STMicroelectronics

STL20DNF06LAG

Қоршаған бөлік: 155965

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
STL66DN3LLH5
STMicroelectronics

STL66DN3LLH5

Қоршаған бөлік: 78965

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 78.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SH8K3TB1
Rohm Semiconductor

SH8K3TB1

Қоршаған бөлік: 55153

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Тілектер тізімі
IRFH4253DTRPBF
Infineon Technologies

IRFH4253DTRPBF

Қоршаған бөлік: 74468

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 64A, 145A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

Тілектер тізімі
SIZ350DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ350DT-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 220

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI4590DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4590DY-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 189788

FET түрі: N and P-Channel, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI3900DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3900DV-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 169893

FET түрі: 2 N-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Тілектер тізімі
SI1023X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1023X-T1-GE3

Қоршаған бөлік: 119178

FET түрі: 2 P-Channel (Dual), FET ерекшелігі: Logic Level Gate, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Тілектер тізімі
CSD87335Q3D
Texas Instruments

CSD87335Q3D

Қоршаған бөлік: 96785

FET түрі: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

Тілектер тізімі
HCT802
TT Electronics/Optek Technology

HCT802

Қоршаған бөлік: 2104

FET түрі: N and P-Channel, FET ерекшелігі: Standard, Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 90V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A, 1.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Тілектер тізімі