Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 39

QSX7TR

Қоршаған бөлік: 133111

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1.5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMW1T148

Қоршаған бөлік: 193173

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMY4AT148

Қоршаған бөлік: 115359

Транзистор түрі: NPN, PNP Complementary Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMX5T2R

Қоршаған бөлік: 132191

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 11V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 500nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

US6T9TR

Қоршаған бөлік: 144882

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QSX8TR

Қоршаған бөлік: 124260

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMX5T108

Қоршаған бөлік: 149748

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 11V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 500nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QS6Z5TR

Қоршаған бөлік: 158820

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QS5W2TR

Қоршаған бөлік: 188842

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMX17T108

Қоршаған бөлік: 170021

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMX3T108

Қоршаған бөлік: 188015

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMZ2AT108

Қоршаған бөлік: 189718

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMX1T108

Қоршаған бөлік: 134514

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QSZ2TR

Қоршаған бөлік: 151664

Транзистор түрі: NPN, PNP (Emitter Coupled), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1.5A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMZ4T108

Қоршаған бөлік: 137089

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 32V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMZ1NTR

Қоршаған бөлік: 165705

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMZ2NTR

Қоршаған бөлік: 108768

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QS5W1TR

Қоршаған бөлік: 144757

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 1µA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMZ2T2R

Қоршаған бөлік: 102872

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

ULN2003ADRG4

Қоршаған бөлік: 142447

Транзистор түрі: 7 NPN Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50µA,

Тілектер тізімі

Texas Instruments

ULN2003AIPWR

Қоршаған бөлік: 189360

Транзистор түрі: 7 NPN Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50µA,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

MMDT3904-7-F

Қоршаған бөлік: 137638

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMMT5551-7-F

Қоршаған бөлік: 182764

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

MMDT2227M-7

Қоршаған бөлік: 158166

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 600mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, 60V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

MMDT2222V-7

Қоршаған бөлік: 145001

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 600mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

MMDT2907AQ-7-F

Қоршаған бөлік: 116803

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 600mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 60V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 10nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

MMDT5551-7-F

Қоршаған бөлік: 174855

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 160V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PMBT3906VS,115

Қоршаған бөлік: 191209

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Тілектер тізімі

Nexperia USA Inc.

PUMZ1,115

Қоршаған бөлік: 145366

Транзистор түрі: NPN, PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

SMBT3904SH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 180805

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

SMBT3906SH6327XTSA1

Қоршаған бөлік: 136392

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Тілектер тізімі

Infineon Technologies

SMBT3906UE6327HTSA1

Қоршаған бөлік: 154530

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

Қоршаған бөлік: 175513

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100nA (ICBO), Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Тілектер тізімі

Panasonic Electronic Components

DMC206010R

Қоршаған бөлік: 130805

Транзистор түрі: 2 NPN (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 100µA, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

ULN2003ADR2G

Қоршаған бөлік: 145782

Транзистор түрі: 7 NPN Darlington, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ағымдағы - коллекторлық кесу (ең көп): 50µA, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Тілектер тізімі

ON Semiconductor

MBT3906DW1T2G

Қоршаған бөлік: 189131

Транзистор түрі: 2 PNP (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Vce қанықтылығы (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Тілектер тізімі