Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз, алдын-ал

PDTC123EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC123EMB,315

Қоршаған бөлік: 163318

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTD114EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTD114EQAZ

Қоршаған бөлік: 189828

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTA143XQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTA143XQAZ

Қоршаған бөлік: 109011

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTB114EQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTB114EQAZ

Қоршаған бөлік: 123069

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTA143ZM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA143ZM,315

Қоршаған бөлік: 119654

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTC114YQAZ
Nexperia USA Inc.

PDTC114YQAZ

Қоршаған бөлік: 100962

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTC144VMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC144VMB,315

Қоршаған бөлік: 124898

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTA114EM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA114EM,315

Қоршаған бөлік: 190834

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTC143TMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTC143TMB,315

Қоршаған бөлік: 120761

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTA115EMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA115EMB,315

Қоршаған бөлік: 155778

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTA124XMB,315
Nexperia USA Inc.

PDTA124XMB,315

Қоршаған бөлік: 171934

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
PDTA144VM,315
Nexperia USA Inc.

PDTA144VM,315

Қоршаған бөлік: 120475

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTC143EMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTC143EMFHAT2L

Қоршаған бөлік: 63

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased + Diode, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTA143XEFRATL
Rohm Semiconductor

DTA143XEFRATL

Қоршаған бөлік: 140

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTC015EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC015EMT2L

Қоршаған бөлік: 149082

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DTD113ZCHZGT116
Rohm Semiconductor

DTD113ZCHZGT116

Қоршаған бөлік: 136

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased + Diode, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTA114GUAT106
Rohm Semiconductor

DTA114GUAT106

Қоршаған бөлік: 109848

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTD113EKT146
Rohm Semiconductor

DTD113EKT146

Қоршаған бөлік: 138641

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 1 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTC143TMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTC143TMFHAT2L

Қоршаған бөлік: 96

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased + Diode, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTC014EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC014EMT2L

Қоршаған бөлік: 129733

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DTA124TUAT106
Rohm Semiconductor

DTA124TUAT106

Қоршаған бөлік: 115377

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTA114WUAT106
Rohm Semiconductor

DTA114WUAT106

Қоршаған бөлік: 154935

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTA124EU3T106
Rohm Semiconductor

DTA124EU3T106

Қоршаған бөлік: 99

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased + Diode, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTA023YMT2L
Rohm Semiconductor

DTA023YMT2L

Қоршаған бөлік: 100858

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DTA143XKAT146
Rohm Semiconductor

DTA143XKAT146

Қоршаған бөлік: 179232

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTA023YUBTL
Rohm Semiconductor

DTA023YUBTL

Қоршаған бөлік: 141506

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DTA023JUBTL
Rohm Semiconductor

DTA023JUBTL

Қоршаған бөлік: 174314

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DTB123YUT106
Rohm Semiconductor

DTB123YUT106

Қоршаған бөлік: 136083

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTA124ECAT116
Rohm Semiconductor

DTA124ECAT116

Қоршаған бөлік: 150496

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTB143ECT116
Rohm Semiconductor

DTB143ECT116

Қоршаған бөлік: 143123

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTC123EMT2L
Rohm Semiconductor

DTC123EMT2L

Қоршаған бөлік: 179511

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Тілектер тізімі
DTC943TUBTL
Rohm Semiconductor

DTC943TUBTL

Қоршаған бөлік: 159354

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 400mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі
UNRF2A100A
Panasonic Electronic Components

UNRF2A100A

Қоршаған бөлік: 144994

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
DTA124EM3T5G
ON Semiconductor

DTA124EM3T5G

Қоршаған бөлік: 178141

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
NSVMMUN2135LT1G
ON Semiconductor

NSVMMUN2135LT1G

Қоршаған бөлік: 135440

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі
FJX4009RTF
ON Semiconductor

FJX4009RTF

Қоршаған бөлік: 2507

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 40V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі