Транзисторлар - биполярлы (BJT) - жалғыз, алдын-ал

UNR42160RA

Қоршаған бөлік: 3262

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR52ANG0L

Қоршаған бөлік: 2043

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR211300L

Қоршаған бөлік: 177461

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR92AVG0L

Қоршаған бөлік: 1919

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

DRA2113Z0L

Қоршаған бөлік: 136510

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR92A2G0L

Қоршаған бөлік: 1936

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

DRC5144W0L

Қоршаған бөлік: 159766

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR52A0G0L

Қоршаған бөлік: 1919

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

DRA5143T0L

Қоршаған бөлік: 114175

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR911HG0L

Қоршаған бөлік: 1961

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR511500L

Қоршаған бөлік: 1948

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR91A2G0L

Қоршаған бөлік: 1914

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 80mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

DRC2113Z0L

Қоршаған бөлік: 173062

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

UNR521800L

Қоршаған бөлік: 173891

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 510 Ohms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 5.1 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

MUN2134T1

Қоршаған бөлік: 1899

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

MUN5211T1G

Қоршаған бөлік: 163259

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

NSVMMUN2131LT1G

Қоршаған бөлік: 130439

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

SMUN2111T1G

Қоршаған бөлік: 180947

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

DDTA114GUA-7

Қоршаған бөлік: 2028

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTC114EUA-7

Қоршаған бөлік: 1982

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTA124EKA-7-F

Қоршаған бөлік: 3266

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTC114WUA-7-F

Қоршаған бөлік: 155429

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTA124TKA-7-F

Қоршаған бөлік: 1887

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

DDTA114EUA-7

Қоршаған бөлік: 3206

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

DDTA125TUA-7-F

Қоршаған бөлік: 160063

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 200 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Micro Commercial Co

DTA114EKA-TP

Қоршаған бөлік: 2008

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

RN2105CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1970

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

Қоршаған бөлік: 1984

Транзистор түрі: NPN - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

PDTA143XE,115

Қоршаған бөлік: 1941

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

PBRP123ES,126

Қоршаған бөлік: 1949

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 800mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms,

Тілектер тізімі

PDTA123YS,126

Қоршаған бөлік: 2027

Транзистор түрі: PNP - Pre-Biased, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі