Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

ATP613-TL-H
ON Semiconductor

ATP613-TL-H

Қоршаған бөлік: 1112

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 2.75A, 10V,

Тілектер тізімі
ATP218-TL-H
ON Semiconductor

ATP218-TL-H

Қоршаған бөлік: 1158

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 50A, 4.5V,

Тілектер тізімі
ATP216-TL-H
ON Semiconductor

ATP216-TL-H

Қоршаған бөлік: 1164

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 18A, 4.5V,

Тілектер тізімі
ATP214-TL-H
ON Semiconductor

ATP214-TL-H

Қоршаған бөлік: 1167

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1 mOhm @ 38A, 10V,

Тілектер тізімі
ATP107-TL-H
ON Semiconductor

ATP107-TL-H

Қоршаған бөлік: 1106

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
ATP201-TL-H
ON Semiconductor

ATP201-TL-H

Қоршаған бөлік: 1128

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі
AOB416
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB416

Қоршаған бөлік: 160428

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), 45A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі
AOD3T40P
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD3T40P

Қоршаған бөлік: 141745

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRLR3705Z
Infineon Technologies

AUIRLR3705Z

Қоршаған бөлік: 981

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 42A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRLR3410
Infineon Technologies

AUIRLR3410

Қоршаған бөлік: 997

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRLR2905Z
Infineon Technologies

AUIRLR2905Z

Қоршаған бөлік: 1003

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 36A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRLR2703
Infineon Technologies

AUIRLR2703

Қоршаған бөлік: 5610

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 14A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRLR2905
Infineon Technologies

AUIRLR2905

Қоршаған бөлік: 1043

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRL3705ZS
Infineon Technologies

AUIRL3705ZS

Қоршаған бөлік: 1023

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 52A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFZ48ZS
Infineon Technologies

AUIRFZ48ZS

Қоршаған бөлік: 1036

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 61A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFZ44ZS
Infineon Technologies

AUIRFZ44ZS

Қоршаған бөлік: 988

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 51A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9 mOhm @ 31A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFU4104
Infineon Technologies

AUIRFU4104

Қоршаған бөлік: 78750

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 42A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFZ44VZS
Infineon Technologies

AUIRFZ44VZS

Қоршаған бөлік: 1037

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 34A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFSL4310
Infineon Technologies

AUIRFSL4310

Қоршаған бөлік: 31829

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFS4610
Infineon Technologies

AUIRFS4610

Қоршаған бөлік: 1076

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 44A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFS4310
Infineon Technologies

AUIRFS4310

Қоршаған бөлік: 1062

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFR6215
Infineon Technologies

AUIRFR6215

Қоршаған бөлік: 1040

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295 mOhm @ 6.6A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFR5505
Infineon Technologies

AUIRFR5505

Қоршаған бөлік: 1030

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 9.6A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFR48Z
Infineon Technologies

AUIRFR48Z

Қоршаған бөлік: 999

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFR4105
Infineon Technologies

AUIRFR4105

Қоршаған бөлік: 6159

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFR3710Z
Infineon Technologies

AUIRFR3710Z

Қоршаған бөлік: 1071

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 33A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFR2607ZTRL
Infineon Technologies

AUIRFR2607ZTRL

Қоршаған бөлік: 97308

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFR2607Z
Infineon Technologies

AUIRFR2607Z

Қоршаған бөлік: 1048

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFR2307Z
Infineon Technologies

AUIRFR2307Z

Қоршаған бөлік: 1010

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 32A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFR120ZTRL
Infineon Technologies

AUIRFR120ZTRL

Қоршаған бөлік: 133486

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 5.2A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFP2907Z
Infineon Technologies

AUIRFP2907Z

Қоршаған бөлік: 20228

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 90A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRFB3207
Infineon Technologies

AUIRFB3207

Қоршаған бөлік: 34074

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRF540ZS
Infineon Technologies

AUIRF540ZS

Қоршаған бөлік: 998

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 22A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRF3805S-7P
Infineon Technologies

AUIRF3805S-7P

Қоршаған бөлік: 999

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRF3805S
Infineon Technologies

AUIRF3805S

Қоршаған бөлік: 1023

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

Тілектер тізімі
AUIRF3710Z
Infineon Technologies

AUIRF3710Z

Қоршаған бөлік: 24326

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 59A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V,

Тілектер тізімі