Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

2N7002T

Қоршаған бөлік: 172686

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

2N7000BU

Қоршаған бөлік: 155891

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2N7000-D26Z

Қоршаған бөлік: 30133

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2V7002WT1G

Қоршаған бөлік: 187851

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2N7002KW

Қоршаған бөлік: 157123

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2N7000TA

Қоршаған бөлік: 141923

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2V7002KT1G

Қоршаған бөлік: 170630

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2N7002KT1G

Қоршаған бөлік: 188988

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2SK122800L

Қоршаған бөлік: 5951

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Тілектер тізімі

2SK353900L

Қоршаған бөлік: 9183

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 10mA, 2.5V,

Тілектер тізімі

2SK060100L

Қоршаған бөлік: 9182

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2SK306400L

Қоршаған бөлік: 9142

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

2SJ053600L

Қоршаған бөлік: 9187

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

2SK3047

Қоршаған бөлік: 8914

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

2SK3044

Қоршаған бөлік: 8928

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 450V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

2N7002F,215

Қоршаған бөлік: 9100

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 475mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2N7002E,215

Қоршаған бөлік: 8867

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 385mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2N7002BKMB,315

Қоршаған бөлік: 137202

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 450mA, 10V,

Тілектер тізімі

2N7002BKVL

Қоршаған бөлік: 122069

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2N7002CK,215

Қоршаған бөлік: 134277

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

2N7002BKM,315

Қоршаған бөлік: 169202

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі