| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Obsolete |
|---|---|
| FET түрі | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET ерекшелігі | Silicon Carbide (SiC) |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 36A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 308nC @ 10V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
| Қуат - максимум | 694W |
| Жұмыс температурасы | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Chassis Mount |
| Пакет / Корпус | SP4 |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | SP4 |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
