Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Active |
---|---|
FET түрі | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET ерекшелігі | Standard |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 1000V (1kV) |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 65A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156 mOhm @ 32.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 6mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 562nC @ 10V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 15200pF @ 25V |
Қуат - максимум | 1250W |
Жұмыс температурасы | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Chassis Mount |
Пакет / Корпус | SP6 |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | SP6 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |