Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер, алды

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер, алды
UMA2NTR
Rohm Semiconductor

UMA2NTR

Қоршаған бөлік: 192994

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
UMD9NTR
Rohm Semiconductor

UMD9NTR

Қоршаған бөлік: 125586

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
FMC6AT148
Rohm Semiconductor

FMC6AT148

Қоршаған бөлік: 134690

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 100 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
EMB3T2R
Rohm Semiconductor

EMB3T2R

Қоршаған бөлік: 122894

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі
IMB9AT110
Rohm Semiconductor

IMB9AT110

Қоршаған бөлік: 151560

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
IMB11AT110
Rohm Semiconductor

IMB11AT110

Қоршаған бөлік: 145889

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі
UMH3NTN
Rohm Semiconductor

UMH3NTN

Қоршаған бөлік: 152629

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі