Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер, алды | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 6

UMH8NTR

Қоршаған бөлік: 177661

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMD9AT108

Қоршаған бөлік: 163179

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMB61T2R

Қоршаған бөлік: 104787

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMB10T2R

Қоршаған бөлік: 175699

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMH4NTN

Қоршаған бөлік: 149464

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMH10FHAT2R

Қоршаған бөлік: 131

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMA4T2R

Қоршаған бөлік: 114783

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMD62T2R

Қоршаған бөлік: 115365

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMD3T2R

Қоршаған бөлік: 196435

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMH61T2R

Қоршаған бөлік: 107407

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMH11AT110

Қоршаған бөлік: 124239

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMH9AT110

Қоршаған бөлік: 116186

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMH24T110

Қоршаған бөлік: 105487

Транзистор түрі: 2 NPN Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 600mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMF23NTR

Қоршаған бөлік: 107959

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 150mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMA11NTR

Қоршаған бөлік: 158485

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMG5T2R

Қоршаған бөлік: 135597

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMB4AT110

Қоршаған бөлік: 116363

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMF8NTR

Қоршаған бөлік: 111347

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 15V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMG5AT148

Қоршаған бөлік: 191530

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMD6NTR

Қоршаған бөлік: 125967

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

IMD23T108

Қоршаған бөлік: 153074

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMD30T2R

Қоршаған бөлік: 163367

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 30V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMA7AT148

Қоршаған бөлік: 193045

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMC3NTR

Қоршаған бөлік: 111007

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMG4NTR

Қоршаған бөлік: 131758

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMH11NTN

Қоршаған бөлік: 164960

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMD4NTR

Қоршаған бөлік: 139055

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMH7NTR

Қоршаған бөлік: 166319

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMD12NTR

Қоршаған бөлік: 144674

Транзистор түрі: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

UMA10NTR

Қоршаған бөлік: 123852

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 1 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMA11AT148

Қоршаған бөлік: 163245

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMB6T2R

Қоршаған бөлік: 182976

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMA8T2R

Қоршаған бөлік: 102753

Транзистор түрі: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

EMG11T2R

Қоршаған бөлік: 155071

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

FMG11AT148

Қоршаған бөлік: 149456

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Тілектер тізімі

Rohm Semiconductor

QSH29TR

Қоршаған бөлік: 194863

Транзистор түрі: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 70V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 200mA, 5V,

Тілектер тізімі