Оптикалық сенсорлар - Фотоинтертерлер - Ұяшық түрі | Сенсорлар, түрлендіргіштер | 3

EE-SA107-P2

Қоршаған бөлік: 12472

Қашықтықты сезу: 0.142" (3.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-CS

Қоршаған бөлік: 18915

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1096-W11

Қоршаған бөлік: 5780

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX199

Қоршаған бөлік: 22006

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-G

Қоршаған бөлік: 17615

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1088

Қоршаған бөлік: 19068

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SJ8-B

Қоршаған бөлік: 11701

Қашықтықты сезу: 0.315" (8mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-D

Қоршаған бөлік: 9679

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1042

Қоршаған бөлік: 21566

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі

Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1235A-P2

Қоршаған бөлік: 15630

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі