Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Оптикалық сенсорлар - Фотоинтертерлер - Ұяшық түрі

  • Үй
  •  
  • Оптикалық сенсорлар - Фотоинтертерлер - Ұяшық түрі
EE-SX1115
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1115

Қоршаған бөлік: 23494

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SA105
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA105

Қоршаған бөлік: 10410

Зерттеу әдісі: Actuator, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1350
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1350

Қоршаған бөлік: 54189

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 30mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V,

Тілектер тізімі
EE-SX198
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX198

Қоршаған бөлік: 23602

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SV3
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3

Қоршаған бөлік: 10017

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX129
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX129

Қоршаған бөлік: 14862

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1041
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1041

Қоршаған бөлік: 26774

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1105
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1105

Қоршаған бөлік: 36692

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1061
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1061

Қоршаған бөлік: 34477

Қашықтықты сезу: 0.142" (3.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1070
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1070

Қоршаған бөлік: 22419

Қашықтықты сезу: 0.315" (8mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1071
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1071

Қоршаған бөлік: 24563

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SA104
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA104

Қоршаған бөлік: 21185

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1031
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1031

Қоршаған бөлік: 9457

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: 2 NPN, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1137
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1137

Қоршаған бөлік: 26619

Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SA103
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA103

Қоршаған бөлік: 46470

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SV3-DS
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-DS

Қоршаған бөлік: 9640

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1160-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1160-W11

Қоршаған бөлік: 5407

Қашықтықты сезу: 0.374" (9.5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1088-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1088-W11

Қоршаған бөлік: 5667

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1018
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1018

Қоршаған бөлік: 20635

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SG3
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SG3

Қоршаған бөлік: 13113

Қашықтықты сезу: 0.142" (3.6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1025
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1025

Қоршаған бөлік: 19938

Қашықтықты сезу: 0.110" (2.8mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1046
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1046

Қоршаған бөлік: 16742

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1106
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1106

Қоршаған бөлік: 36662

Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1161-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1161-W11

Қоршаған бөлік: 5717

Қашықтықты сезу: 0.126" (3.2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1055
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1055

Қоршаған бөлік: 23952

Қашықтықты сезу: 0.110" (2.8mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SH3-GS
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-GS

Қоршаған бөлік: 15860

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SV3-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-B

Қоршаған бөлік: 11328

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX153
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX153

Қоршаған бөлік: 14873

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SH3-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-B

Қоршаған бөлік: 15230

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1340
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1340

Қоршаған бөлік: 64711

Қашықтықты сезу: 0.157" (4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 30mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 12V,

Тілектер тізімі
EE-SH3-C
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-C

Қоршаған бөлік: 10574

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1320
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1320

Қоршаған бөлік: 126846

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 5mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA,

Тілектер тізімі
EE-SX1035
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1035

Қоршаған бөлік: 18256

Қашықтықты сезу: 0.205" (5.2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1321
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1321

Қоршаған бөлік: 82172

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 25mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA,

Тілектер тізімі
EE-SJ3-D
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SJ3-D

Қоршаған бөлік: 10598

Қашықтықты сезу: 0.134" (3.4mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі
EE-SX1103
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1103

Қоршаған бөлік: 36621

Қашықтықты сезу: 0.079" (2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,

Тілектер тізімі