Тиристорлар - SCR | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 1

2N5064,112

Қоршаған бөлік: 7650

Кернеу - күйден тыс: 200V, Кернеу - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800mV, Ағым - Қақпа триггері (Igt) (Макс): 200µA, Кернеу - күйде (Vtm) (Max): 1.71V, Ағымдағы - күйде (бұл (AV)) (ең көп): 510mA, Ағымдағы - күйде (бұл (RMS)) (ең көп): 800mA,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

BT169H,112

Қоршаған бөлік: 7800

Кернеу - күйден тыс: 800V, Кернеу - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800mV, Ағым - Қақпа триггері (Igt) (Макс): 100µA, Кернеу - күйде (Vtm) (Max): 1.7V, Ағымдағы - күйде (бұл (AV)) (ең көп): 500mA, Ағымдағы - күйде (бұл (RMS)) (ең көп): 800mA,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

BT149B,126

Қоршаған бөлік: 7813

Кернеу - күйден тыс: 200V, Кернеу - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800mV, Ағым - Қақпа триггері (Igt) (Макс): 200µA, Кернеу - күйде (Vtm) (Max): 1.7V, Ағымдағы - күйде (бұл (AV)) (ең көп): 500mA, Ағымдағы - күйде (бұл (RMS)) (ең көп): 800mA,

Тілектер тізімі