Транзисторлар - биполярлық (BJT) - массивтер, алды | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 1

PBLS1504V,115

Қоршаған бөлік: 1472

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 15V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

Қоршаған бөлік: 1384

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 40V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

Қоршаған бөлік: 1498

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 40V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PBLS2003S,115

Қоршаған бөлік: 1383

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 20V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PBLS4005V,115

Қоршаған бөлік: 1428

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 40V, Резистор - негіз (R1): 47 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 47 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PBLS4003V,115

Қоршаған бөлік: 1458

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 40V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PBLS2002S,115

Қоршаған бөлік: 1539

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 20V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PBLS2001S,115

Қоршаған бөлік: 1488

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 3A, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 20V, Резистор - негіз (R1): 2.2 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 2.2 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PUML1,115

Қоршаған бөлік: 1500

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 200mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PBLS4004V,115

Қоршаған бөлік: 1464

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 40V, Резистор - негіз (R1): 22 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 22 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PBLS1503V,115

Қоршаған бөлік: 1388

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 15V, Резистор - негіз (R1): 10 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 10 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

Тілектер тізімі

NXP USA Inc.

PBLS1502V,115

Қоршаған бөлік: 1399

Транзистор түрі: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, 500mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 50V, 15V, Резистор - негіз (R1): 4.7 kOhms, Резистор - Эмиттер негізі (R2): 4.7 kOhms, Тұрақты ток күші (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Тілектер тізімі