Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Кернеу - жабдықтау: 2.2V ~ 3.6V,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: SPI, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 16mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: Analog, PWM, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 16mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: SENT, Зондты сезу: 70mT (X,Y), 126mT (Z), Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: SPI, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT, 24mT ~ 126mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C, SPI, Кернеу - жабдықтау: 2.2V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 6mT ~ 650mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Шығу түрі: Open Drain, Зондты сезу: 0.5mT Trip, -0.5mT Release, Кернеу - жабдықтау: 4V ~ 24V, Ағым - жабдықтау (максимум): 12mA,
