Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±15mT ~ ±400mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 15mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 6mT ~ 650mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±30mT ~ ±170mT, Кернеу - жабдықтау: 4.6V ~ 8.7V, Ағым - жабдықтау (максимум): 6.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 156mT ~ 333mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: Analog, PWM, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 16mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 62mT ~ 156mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 6.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Open Drain, Зондты сезу: ±30mT ~ ±170mT, Кернеу - жабдықтау: 4.6V ~ 8.7V, Ағым - жабдықтау (максимум): 6.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 6mT ~ 62mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: SPI, Зондты сезу: 20mT ~ 70mT (X,Y), 24mT ~ 140mT (Z), Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 16mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 9mA,