Қашықтықты сезу: 0.2" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.125" (3.18mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 40mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.168" (4.27mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Photodiode,
Қашықтықты сезу: 0.168" (4.27mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 8mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
