Қашықтықты сезу: 0.106" (2.7mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 20mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 5mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,
Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 20mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 1mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,
Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 20mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500µA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,
Қашықтықты сезу: 0.205" (5.2mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 20mA, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 500µA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,
Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 1A, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,
Қашықтықты сезу: 0.591" (15mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,
Қашықтықты сезу: 0.236" (6mm), Зерттеу әдісі: Transmissive, Шығыс конфигурациясы: Phototransistor, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 20mA, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V,