Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Үй
Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

IXFX320N17T2

Қоршаған бөлік: 3172

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 170V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 320A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTH10P60

Қоршаған бөлік: 7076

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTH02N250

Қоршаған бөлік: 5414

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 2500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 Ohm @ 50mA, 10V,

Тілектер тізімі

IXFA38N30X3

Қоршаған бөлік: 333

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 300V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 19A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTT12N150HV

Қоршаған бөлік: 1684

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V,

Тілектер тізімі

IXFX160N30T

Қоршаған бөлік: 4819

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 300V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 160A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFH6N100Q

Қоршаған бөлік: 6888

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFX32N100P

Қоршаған бөлік: 3783

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTK200N10L2

Қоршаған бөлік: 2544

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTQ130N10T

Қоршаған бөлік: 22006

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 130A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFX94N50P2

Қоршаған бөлік: 3997

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 94A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

IXFX100N65X2

Қоршаған бөлік: 5211

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFK180N10

Қоршаған бөлік: 3566

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 90A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFA22N65X2

Қоршаған бөлік: 16846

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 11A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTH48N65X2

Қоршаған бөлік: 9453

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 24A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFP20N50P3M

Қоршаған бөлік: 20552

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTT2N170D2

Қоршаған бөлік: 3408

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1700V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 Ohm @ 1A, 0V,

Тілектер тізімі

IXFH90N20X3

Қоршаған бөлік: 1631

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 45A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTK170P10P

Қоршаған бөлік: 4130

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

IXFK140N20P

Қоршаған бөлік: 6138

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 70A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFH13N80

Қоршаған бөлік: 5760

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 13A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

IXTN600N04T2

Қоршаған бөлік: 2705

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 600A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTK60N50L2

Қоршаған бөлік: 2503

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFB150N65X2

Қоршаған бөлік: 2902

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 75A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFN520N075T2

Қоршаған бөлік: 2893

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 480A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFP56N30X3

Қоршаған бөлік: 3543

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 300V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 28A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFT220N20X3HV

Қоршаған бөлік: 1945

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 110A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFH50N30Q3

Қоршаған бөлік: 6207

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 300V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTA36P15P

Қоршаған бөлік: 12295

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFA4N100Q-TRL

Қоршаған бөлік: 17189

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFX120N20

Қоршаған бөлік: 3683

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTP08N100D2

Қоршаған бөлік: 39847

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 Ohm @ 400mA, 0V,

Тілектер тізімі

IXFH75N10

Қоршаған бөлік: 5142

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 37.5A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFN132N50P3

Қоршаған бөлік: 2530

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 112A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 66A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFN110N60P3

Қоршаған бөлік: 2553

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 55A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFT150N30X3HV

Қоршаған бөлік: 2357

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 300V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 75A, 10V,

Тілектер тізімі

2148

«
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
»