Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
IXFQ20N50P3
IXYS

IXFQ20N50P3

Қоршаған бөлік: 17482

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFH180N20X3
IXYS

IXFH180N20X3

Қоршаған бөлік: 76

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 90A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTT30N50L2
IXYS

IXTT30N50L2

Қоршаған бөлік: 5280

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTX110N20L2
IXYS

IXTX110N20L2

Қоршаған бөлік: 2706

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 55A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFA60N25X3
IXYS

IXFA60N25X3

Қоршаған бөлік: 10490

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTN550N055T2
IXYS

IXTN550N055T2

Қоршаған бөлік: 2125

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 550A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTN30N100L
IXYS

IXTN30N100L

Қоршаған бөлік: 1367

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 15A, 20V,

Тілектер тізімі
IXFN32N100Q3
IXYS

IXFN32N100Q3

Қоршаған бөлік: 1447

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTH62N65X2
IXYS

IXTH62N65X2

Қоршаған бөлік: 7928

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 62A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 31A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTT140N10P
IXYS

IXTT140N10P

Қоршаған бөлік: 9083

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 70A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFN94N50P2
IXYS

IXFN94N50P2

Қоршаған бөлік: 3264

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 68A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXTR48P20P
IXYS

IXTR48P20P

Қоршаған бөлік: 5842

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 24A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTR16P60P
IXYS

IXTR16P60P

Қоршаған бөлік: 5857

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTP15N50L2
IXYS

IXTP15N50L2

Қоршаған бөлік: 9356

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 7.5A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFP5N50P3
IXYS

IXFP5N50P3

Қоршаған бөлік: 31576

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 Ohm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFH20N85X
IXYS

IXFH20N85X

Қоршаған бөлік: 8191

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 850V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXFN110N85X
IXYS

IXFN110N85X

Қоршаған бөлік: 1455

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 850V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 55A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTH67N10
IXYS

IXTH67N10

Қоршаған бөлік: 5185

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 67A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 33.5A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFK400N15X3
IXYS

IXFK400N15X3

Қоршаған бөлік: 124

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 400A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 200A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFH36N60P
IXYS

IXFH36N60P

Қоршаған бөлік: 7134

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFT180N20X3HV
IXYS

IXFT180N20X3HV

Қоршаған бөлік: 79

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 90A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFN200N10P
IXYS

IXFN200N10P

Қоршаған бөлік: 3624

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXTN36N50
IXYS

IXTN36N50

Қоршаған бөлік: 3662

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc),

Тілектер тізімі
IXFR120N20
IXYS

IXFR120N20

Қоршаған бөлік: 3865

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 105A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFK220N20X3
IXYS

IXFK220N20X3

Қоршаған бөлік: 130

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 220A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 110A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTY08N50D2
IXYS

IXTY08N50D2

Қоршаған бөлік: 39847

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 400mA, 0V,

Тілектер тізімі
IXTP34N65X2
IXYS

IXTP34N65X2

Қоршаған бөлік: 161

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96 mOhm @ 17A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTA44N30T
IXYS

IXTA44N30T

Қоршаған бөлік: 20696

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 300V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc),

Тілектер тізімі
IXFP5N100PM
IXYS

IXFP5N100PM

Қоршаған бөлік: 19507

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTP1R4N120P
IXYS

IXTP1R4N120P

Қоршаған бөлік: 20824

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXTP08N120P
IXYS

IXTP08N120P

Қоршаған бөлік: 28369

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 800mA (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXFX150N15
IXYS

IXFX150N15

Қоршаған бөлік: 4436

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 75A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFN48N50Q
IXYS

IXFN48N50Q

Қоршаған бөлік: 3321

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXTY1N120P
IXYS

IXTY1N120P

Қоршаған бөлік: 30035

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1A (Tc),

Тілектер тізімі
IXFH30N50P
IXYS

IXFH30N50P

Қоршаған бөлік: 10154

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTA1R4N120P
IXYS

IXTA1R4N120P

Қоршаған бөлік: 19721

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі