Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Үй
Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

IXTX1R4N450HV

Қоршаған бөлік: 1287

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 4500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 Ohm @ 50mA, 10V,

Тілектер тізімі

IXKP24N60C5M

Қоршаған бөлік: 14433

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTT90P10P

Қоршаған бөлік: 6399

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 45A, 10V,

Тілектер тізімі

IXKC23N60C5

Қоршаған бөлік: 9265

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFN50N120SIC

Қоршаған бөлік: 272

FET түрі: N-Channel, Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 40A, 20V,

Тілектер тізімі

IXKC25N80C

Қоршаған бөлік: 5033

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі

IXKH20N60C5

Қоршаған бөлік: 15348

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

FMD21-05QC

Қоршаған бөлік: 6530

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTT40N50L2

Қоршаған бөлік: 4498

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTP75N10P

Қоршаған бөлік: 19890

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

FMD47-06KC5

Қоршаған бөлік: 3498

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFN60N60

Қоршаған бөлік: 1555

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

IXFR64N50Q3

Қоршаған бөлік: 3002

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 32A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFX64N60P3

Қоршаған бөлік: 5886

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 64A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 32A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTP450P2

Қоршаған бөлік: 20573

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі

FMD15-06KC5

Қоршаған бөлік: 9516

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTQ200N10T

Қоршаған бөлік: 11892

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFN70N120SK

Қоршаған бөлік: 208

FET түрі: N-Channel, Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 68A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,

Тілектер тізімі

IXKF40N60SCD1

Қоршаған бөлік: 4137

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 41A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFK140N25T

Қоршаған бөлік: 5819

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFT70N20Q3

Қоршаған бөлік: 5482

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 35A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFP38N30X3M

Қоршаған бөлік: 320

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 300V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 38A (Tc),

Тілектер тізімі

IXKC15N60C5

Қоршаған бөлік: 13382

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFX66N85X

Қоршаған бөлік: 3350

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 850V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 66A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

IXKR25N80C

Қоршаған бөлік: 4111

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі

VMO60-05F

Қоршаған бөлік: 2462

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

IXKH35N60C5

Қоршаған бөлік: 8986

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі

IXKH30N60C5

Қоршаған бөлік: 10554

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFP36N20X3M

Қоршаған бөлік: 214

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі

IXKR47N60C5

Қоршаған бөлік: 2823

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTP100N04T2

Қоршаған бөлік: 34242

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі

IXTT110N10L2

Қоршаған бөлік: 4684

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 55A, 10V,

Тілектер тізімі

IXKP24N60C5

Қоршаған бөлік: 14488

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFP4N85X

Қоршаған бөлік: 23858

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 850V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFH34N65X2

Қоршаған бөлік: 10441

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 17A, 10V,

Тілектер тізімі

IXFB110N60P3

Қоршаған бөлік: 3558

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 55A, 10V,

Тілектер тізімі

2148

«
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
»