Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
IXTH80N075L2
IXYS

IXTH80N075L2

Қоршаған бөлік: 11945

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 40A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFA20N50P3
IXYS

IXFA20N50P3

Қоршаған бөлік: 27112

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFP7N60P3
IXYS

IXFP7N60P3

Қоршаған бөлік: 36066

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXFR36N60P
IXYS

IXFR36N60P

Қоршаған бөлік: 6738

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 18A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFK80N65X2
IXYS

IXFK80N65X2

Қоршаған бөлік: 4703

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 40A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFN26N100P
IXYS

IXFN26N100P

Қоршаған бөлік: 1851

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 13A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFH30N60P
IXYS

IXFH30N60P

Қоршаған бөлік: 10615

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFR24N100Q3
IXYS

IXFR24N100Q3

Қоршаған бөлік: 3542

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1000V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFT16N80P
IXYS

IXFT16N80P

Қоршаған бөлік: 11391

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 800V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXFH20N50P3
IXYS

IXFH20N50P3

Қоршаған бөлік: 21373

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFR44N50Q
IXYS

IXFR44N50Q

Қоршаған бөлік: 4491

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 22A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTA1R6N50D2
IXYS

IXTA1R6N50D2

Қоршаған бөлік: 34185

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 800mA, 0V,

Тілектер тізімі
MMIX1F520N075T2
IXYS

MMIX1F520N075T2

Қоршаған бөлік: 3763

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTA260N055T2-7
IXYS

IXTA260N055T2-7

Қоршаған бөлік: 16256

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 55V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 260A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTT170N10P
IXYS

IXTT170N10P

Қоршаған бөлік: 8714

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 170A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXTR62N15P
IXYS

IXTR62N15P

Қоршаған бөлік: 11777

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 150V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 31A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTP2N65X2
IXYS

IXTP2N65X2

Қоршаған бөлік: 43029

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFQ60N60X
IXYS

IXFQ60N60X

Қоршаған бөлік: 6954

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 30A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTP20N65XM
IXYS

IXTP20N65XM

Қоршаған бөлік: 12072

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 650V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTA50N25T
IXYS

IXTA50N25T

Қоршаған бөлік: 20718

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTH12N150
IXYS

IXTH12N150

Қоршаған бөлік: 7031

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTK240N075L2
IXYS

IXTK240N075L2

Қоршаған бөлік: 199

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 75V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 240A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 120A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFN32N120P
IXYS

IXFN32N120P

Қоршаған бөлік: 1423

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXFA5N50P3
IXYS

IXFA5N50P3

Қоршаған бөлік: 35545

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 Ohm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTQ30N50L
IXYS

IXTQ30N50L

Қоршаған бөлік: 6439

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTQ96N20P
IXYS

IXTQ96N20P

Қоршаған бөлік: 12868

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 96A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXTH270N04T4
IXYS

IXTH270N04T4

Қоршаған бөлік: 20630

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 270A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 50A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFX55N50
IXYS

IXFX55N50

Қоршаған бөлік: 3399

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXFN70N60Q2
IXYS

IXFN70N60Q2

Қоршаған бөлік: 1837

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 600V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 35A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFR230N20T
IXYS

IXFR230N20T

Қоршаған бөлік: 4219

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 156A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTP460P2
IXYS

IXTP460P2

Қоршаған бөлік: 24265

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFH24N90P
IXYS

IXFH24N90P

Қоршаған бөлік: 6693

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 900V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі
IXTN17N120L
IXYS

IXTN17N120L

Қоршаған бөлік: 1864

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 8.5A, 20V,

Тілектер тізімі
IXFK420N10T
IXYS

IXFK420N10T

Қоршаған бөлік: 5712

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 420A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 60A, 10V,

Тілектер тізімі
IXFB30N120P
IXYS

IXFB30N120P

Қоршаған бөлік: 2223

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 1200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
IXTH30N50P
IXYS

IXTH30N50P

Қоршаған бөлік: 12433

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 500V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 15A, 10V,

Тілектер тізімі