Магниттік датчиктер - Сызықтық, компас (IC)

TLE4998C3CHAMA1

Қоршаған бөлік: 19732

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,

TLE4998C8XUMA2

Қоршаған бөлік: 304

TLE5046ICPWMER050HALA1

Қоршаған бөлік: 330

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM,

TLE4998C8DXUMA2

Қоршаған бөлік: 332

TLE4998C3XALA1

Қоршаған бөлік: 21698

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,

TLE493DA2B6MS2GOTOBO1

Қоршаған бөлік: 266

Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: I²C,

TLE4926CHTE6547HAMA1

Қоршаған бөлік: 24808

Технология: Hall Effect, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V,

TLE4997A8XUMA1

Қоршаған бөлік: 33091

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±50mT ~ ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,

TLE4998S4HALA1

Қоршаған бөлік: 25733

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: SENT, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,

TLE4998P4HALA1

Қоршаған бөлік: 27098

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,

TLE4998P3XALA1

Қоршаған бөлік: 26773

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,

TLE5046ICAKLRHALA1

Қоршаған бөлік: 48597

TLE4997A8DXUMA1

Қоршаған бөлік: 19783

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±50mT ~ ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,

TLE5009A16E1200XUMA1

Қоршаған бөлік: 36279

TLE5009A16E2210XUMA1

Қоршаған бөлік: 31255

TLE5009A16E1210XUMA1

Қоршаған бөлік: 31264

TLE4998S3XALA1

Қоршаған бөлік: 25815

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: SENT, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,

TLE5045ICR050HALA1

Қоршаған бөлік: 287

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM,

TLE4998P3CHAMA1

Қоршаған бөлік: 19895

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,

TLE4998P8XUMA1

Қоршаған бөлік: 39628

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Open Drain, PWM, Зондты сезу: ±50mT ~ ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,

TLE493DW2B6A1HTSA1

Қоршаған бөлік: 9929

Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±160mT ~ ±230mT, Кернеу - жабдықтау: 2.8V ~ 3.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 0.13µA,

TLE4997E2XALA1

Қоршаған бөлік: 21612

Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: Unlimited, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 10mA,