Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Z, Шығу түрі: PWM,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 5.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Open Drain, PWM, Зондты сезу: ±50mT ~ ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: 0mT ~ 400mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 5.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±400mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 18V, Ағым - жабдықтау (максимум): 7mA,
Технология: Hall Effect, Ось: X, Y, Шығу түрі: I²C, Зондты сезу: ±160mT ~ ±230mT, Кернеу - жабдықтау: 2.8V ~ 3.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 0.13µA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: SENT, Зондты сезу: ±50mT, ±100mT, ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Open Drain, Зондты сезу: ±50mT ~ ±200mT, Кернеу - жабдықтау: 4.5V ~ 5.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 8mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: PWM,