Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз | Дискретті жартылай өткізгіш өнімдер | 40

DMTH6004SK3Q-13

Қоршаған бөлік: 118952

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 90A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMNH4005SCT

Қоршаған бөлік: 35302

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN6040SK3-13

Қоршаған бөлік: 150

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP3017SFV-13

Қоршаған бөлік: 157923

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 11.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN6040SVT-7

Қоршаған бөлік: 174750

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 4.3A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP6023LSS-13

Қоршаған бөлік: 187153

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP2010UFG-7

Қоршаған бөлік: 187164

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 12.7A (Ta), 42A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN3010LSS-13

Қоршаған бөлік: 179353

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 16A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVN2110GTA

Қоршаған бөлік: 177544

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVN4525E6TA

Қоршаған бөлік: 199681

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMT6009LSS-13

Қоршаған бөлік: 172311

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVN0545ASTZ

Қоршаған бөлік: 93602

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 450V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVN4206GTC

Қоршаған бөлік: 176152

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMT68M8LSS-13

Қоршаған бөлік: 218

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 28.9A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP2039UFDE4-7

Қоршаған бөлік: 140870

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 25V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP2066LSS-13

Қоршаған бөлік: 106236

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP2022LSSQ-13

Қоршаған бөлік: 193357

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVN4525GTA

Қоршаған бөлік: 180941

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 250V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP2120U-7

Қоршаған бөлік: 145

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMTH43M8LK3-13

Қоршаған бөлік: 225

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMTH8012LPSW-13

Қоршаған бөлік: 168

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 53.7A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVN4206ASTZ

Қоршаған бөлік: 104252

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMNH4006SK3Q-13

Қоршаған бөлік: 118896

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 140A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 86A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMG4466SSSL-13

Қоршаған бөлік: 180833

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN2015UFDE-7

Қоршаған бөлік: 157184

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP6110SSDQ-13

Қоршаған бөлік: 152162

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMTH10H005LCT

Қоршаған бөлік: 33349

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 140A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 13A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN62D1LFB-7B

Қоршаған бөлік: 131

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMT8012LSS-13

Қоршаған бөлік: 190252

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 80V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMT3020LFCL-7

Қоршаған бөлік: 195234

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMG3414UQ-7

Қоршаған бөлік: 195497

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZXMP6A13FQTA

Қоршаған бөлік: 190860

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 900mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP3035LSS-13

Қоршаған бөлік: 165693

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMT35M7LFV-7

Қоршаған бөлік: 187

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN3020UTS-13

Қоршаған бөлік: 173

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMPH3010LK3Q-13

Қоршаған бөлік: 158555

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі