Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±100mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 6.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±40mT, Кернеу - жабдықтау: 1.6V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 1.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±43mT, Кернеу - жабдықтау: 1.6V ~ 3.6V, Ағым - жабдықтау (максимум): 1.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±300mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 8V, Ағым - жабдықтау (максимум): 3.2mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±100mT, Кернеу - жабдықтау: 4V ~ 6.5V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4.5mA,
Технология: Hall Effect, Ось: Single, Шығу түрі: Analog Voltage, Зондты сезу: ±80mT, Кернеу - жабдықтау: 3V ~ 8V, Ағым - жабдықтау (максимум): 4mA,
Технология: Magnetoresistive, Ось: X, Y, Шығу түрі: Analog Voltage, Кернеу - жабдықтау: 12V,
