Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Үй
Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

Diodes Incorporated

DMN67D8LW-13

Қоршаған бөлік: 135435

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 240mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP3028LFDE-13

Қоршаған бөлік: 135649

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 7A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMG3418L-7

Қоршаған бөлік: 186796

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP32D4S-7

Қоршаған бөлік: 146620

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 300mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMT2004UFDF-7

Қоршаған бөлік: 113972

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 24V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14.1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 9A, 10V,

Тілектер тізімі

DMN10H099SK3-13

Diodes Incorporated

DMN10H099SK3-13

Қоршаған бөлік: 152044

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP6023LFG-7

Қоршаған бөлік: 199658

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7.7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZXMN3F30FHTA

Қоршаған бөлік: 129330

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 3.2A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVN4424A

Қоршаған бөлік: 59072

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 240V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP3010LK3Q-13

Қоршаған бөлік: 124976

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 10A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVN2110A

Қоршаған бөлік: 92720

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP3098LQ-7

Қоршаған бөлік: 156859

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP22D4UFA-7B

Қоршаған бөлік: 104627

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 330mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN33D8LT-13

Қоршаған бөлік: 197367

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 10mA, 4V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZXMP6A13GTA

Қоршаған бөлік: 162793

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 900mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN62D0UW-7

Қоршаған бөлік: 171441

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 340mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVN4206A

Қоршаған бөлік: 87237

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN601WK-7

Қоршаған бөлік: 144404

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZXMP10A17E6TA

Қоршаған бөлік: 105905

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 1.4A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN3065LW-13

Қоршаған бөлік: 132048

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN2020LSN-7

Қоршаған бөлік: 174518

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.4A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP10H400SE-13

Қоршаған бөлік: 157480

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), 6A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP1045UFY4-7

Қоршаған бөлік: 123114

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 4A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP3050LVT-7

Қоршаған бөлік: 135124

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZXMP4A16GTA

Қоршаған бөлік: 184987

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.8A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN3016LFDE-7

Қоршаған бөлік: 165888

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN1019USN-13

Қоршаған бөлік: 169634

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 12V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP2047UCB4-7

Қоршаған бөлік: 181130

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 1A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVN3306A

Қоршаған бөлік: 85164

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMG2305UX-7

Қоршаған бөлік: 122166

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 20V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZVP0545GTA

Қоршаған бөлік: 176181

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 450V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 75mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 Ohm @ 50mA, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN3150L-7

Қоршаған бөлік: 195321

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 28V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN4034SSS-13

Қоршаған бөлік: 160325

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMP3125L-7

Қоршаған бөлік: 58796

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.8A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

ZXMN10A07FTA

Қоршаған бөлік: 105713

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі

Diodes Incorporated

DMN61D9U-7

Қоршаған бөлік: 142317

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V,

Тілектер тізімі

1420

«
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
»