Menu
ҚазақшаҚазақша
RFQ / Тапсырыс
0RFQ / Тапсырыс

Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз

  • Үй
  •  
  • Транзисторлар - FET, MOSFET - жалғыз
DMPH4015SK3Q-13
Diodes Incorporated

DMPH4015SK3Q-13

Қоршаған бөлік: 153451

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 45A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

Тілектер тізімі
ZXMN6A25K
Diodes Incorporated

ZXMN6A25K

Қоршаған бөлік: 45

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

Тілектер тізімі
ZXMP4A16KTC
Diodes Incorporated

ZXMP4A16KTC

Қоршаған бөлік: 132124

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.8A, 10V,

Тілектер тізімі
DMN4800LSS-13
Diodes Incorporated

DMN4800LSS-13

Қоршаған бөлік: 147833

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V,

Тілектер тізімі
DMP4047SK3-13
Diodes Incorporated

DMP4047SK3-13

Қоршаған бөлік: 118854

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 40V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN4206AV
Diodes Incorporated

ZVN4206AV

Қоршаған бөлік: 87204

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі
ZXMN6A25G
Diodes Incorporated

ZXMN6A25G

Қоршаған бөлік: 89

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

Тілектер тізімі
DMT6004LPS-13
Diodes Incorporated

DMT6004LPS-13

Қоршаған бөлік: 108071

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 90A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

Тілектер тізімі
DMP6180SK3-13
Diodes Incorporated

DMP6180SK3-13

Қоршаған бөлік: 177093

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 14A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 12A, 10V,

Тілектер тізімі
ZVP2120GTC
Diodes Incorporated

ZVP2120GTC

Қоршаған бөлік: 9891

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN4310GTC
Diodes Incorporated

ZVN4310GTC

Қоршаған бөлік: 9817

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.67A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 3.3A, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN2106ASTOA
Diodes Incorporated

ZVN2106ASTOA

Қоршаған бөлік: 9876

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN0540ASTOB
Diodes Incorporated

ZVN0540ASTOB

Қоршаған бөлік: 9873

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 400V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN3310FTC
Diodes Incorporated

ZVN3310FTC

Қоршаған бөлік: 9787

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVP2110ASTOB
Diodes Incorporated

ZVP2110ASTOB

Қоршаған бөлік: 9804

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZXMN10A11GTC
Diodes Incorporated

ZXMN10A11GTC

Қоршаған бөлік: 5653

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.6A, 10V,

Тілектер тізімі
ZXMN3A01FTC
Diodes Incorporated

ZXMN3A01FTC

Қоршаған бөлік: 9882

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN2120A
Diodes Incorporated

ZVN2120A

Қоршаған бөлік: 9800

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN2120GTC
Diodes Incorporated

ZVN2120GTC

Қоршаған бөлік: 9816

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN2120ASTZ
Diodes Incorporated

ZVN2120ASTZ

Қоршаған бөлік: 9857

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVP4105ASTOB
Diodes Incorporated

ZVP4105ASTOB

Қоршаған бөлік: 9807

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 50V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 175mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Тілектер тізімі
ZVP2110ASTOA
Diodes Incorporated

ZVP2110ASTOA

Қоршаған бөлік: 9880

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN2535ASTOB
Diodes Incorporated

ZVN2535ASTOB

Қоршаған бөлік: 5985

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 350V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN4206GVTC
Diodes Incorporated

ZVN4206GVTC

Қоршаған бөлік: 9835

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN3306ASTOA
Diodes Incorporated

ZVN3306ASTOA

Қоршаған бөлік: 9796

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN2535ASTOA
Diodes Incorporated

ZVN2535ASTOA

Қоршаған бөлік: 9811

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 350V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZXM61N03FTC
Diodes Incorporated

ZXM61N03FTC

Қоршаған бөлік: 9837

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 910mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZXM62P03GTA
Diodes Incorporated

ZXM62P03GTA

Қоршаған бөлік: 9884

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 30V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), 4A (Tc), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.6A, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN0124ZSTZ
Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTZ

Қоршаған бөлік: 9789

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 240V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN4206AVSTOB
Diodes Incorporated

ZVN4206AVSTOB

Қоршаған бөлік: 9831

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN4206ASTOA
Diodes Incorporated

ZVN4206ASTOA

Қоршаған бөлік: 9826

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 600mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі
ZVP0120ASTOA
Diodes Incorporated

ZVP0120ASTOA

Қоршаған бөлік: 9795

FET түрі: P-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 200V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 110mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN2106ASTOB
Diodes Incorporated

ZVN2106ASTOB

Қоршаған бөлік: 9805

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 60V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN4424ASTOB
Diodes Incorporated

ZVN4424ASTOB

Қоршаған бөлік: 9790

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 240V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZVN0545ASTOB
Diodes Incorporated

ZVN0545ASTOB

Қоршаған бөлік: 9868

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 450V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

Тілектер тізімі
ZXMN10A07FTC
Diodes Incorporated

ZXMN10A07FTC

Қоршаған бөлік: 6049

FET түрі: N-Channel, Технология: MOSFET (Metal Oxide), Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss): 100V, Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C: 700mA (Ta), Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

Тілектер тізімі