Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.236" (6mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.028" (0.7mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Photodarlington,
Қашықтықты сезу: 0.050" (1.27mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 125mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Photodarlington,
Қашықтықты сезу: 0.150" (3.81mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Photodarlington,
Қашықтықты сезу: 0.149" (3.8mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 6mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.150" (3.81mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Шығу түрі: Photodarlington,
Қашықтықты сезу: 0.150" (3.81mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Transistor, Base-Emitter Resistor,
Қашықтықты сезу: 0.200" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 24V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 100mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.05" (1.27mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 24V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 25mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 1" (25.4mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.15" (3.8mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 40mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.050" (1.27mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.250" (6.35mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Photodarlington,
Қашықтықты сезу: 0.250" (6.35mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.2" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 393.701" (10m), Зерттеу әдісі: Reflective,
Қашықтықты сезу: 0.394" ~ 0.787" (10mm ~ 20mm) ADJ, Зерттеу әдісі: Reflective, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: PIN Photodiode,
Қашықтықты сезу: 0.210" (5.33mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 2.25V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100µA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Photodiode,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 30mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 15mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 30mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 10mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 40mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.118" (3mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.098" (2.5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.039" (1mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 100mA, Шығу түрі: Photodiode,
Қашықтықты сезу: 0.178" (4.5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.079" ~ 0.866" (2mm ~ 22mm) ADJ, Зерттеу әдісі: Reflective, Шығу түрі: Photodiode,
