Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 10mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.028" (0.7mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.138" (3.5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.028" (0.7mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Photodarlington,
Қашықтықты сезу: 0.031" (0.8mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Photodarlington,
Қашықтықты сезу: 0.2" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.15" (3.8mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 40mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Photodarlington,
Қашықтықты сезу: 0.050" (1.27mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.2" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.040" (1.02mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.200" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 24V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 100mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.050" (1.27mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 25mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.050" (1.27mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 125mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Photodarlington,
Қашықтықты сезу: 0.200" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 15V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 100mA, Шығу түрі: Photodarlington,
Қашықтықты сезу: 0.150" (3.81mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 25mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Шығу түрі: Transistor,
Қашықтықты сезу: 0.150" (3.81mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.150" (3.81mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.178" (4.5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 472.4" (12m) 39.4', Зерттеу әдісі: Reflective,
Қашықтықты сезу: 0.200" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 25mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 40mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 20V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 1.5mm, Зерттеу әдісі: Reflective, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 30mA, Шығу түрі: Photodiode,
Қашықтықты сезу: 0.039" (1mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.039" (1mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 35V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.2" (5.08mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 20mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 60mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.197" (5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 100mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 100mA, Шығу түрі: Photodiode,
Қашықтықты сезу: 0.157" (4mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 32V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 50mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
Қашықтықты сезу: 0.138" (3.5mm), Зерттеу әдісі: Reflective, Кернеу - коллектордың бөлінуі (максимум): 30V, Ағымдағы - Коллектор (Ic) (Максимум): 30mA, Ағым - тұрақты алға (егер) (ең көп): 50mA, Шығу түрі: Phototransistor,
