| Басу | Суреттеме |
| Бөлімнің күйі | Active |
|---|---|
| FET түрі | N and P-Channel |
| FET ерекшелігі | Logic Level Gate |
| Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 60V |
| Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 3.6A, 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 10V |
| Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 30V |
| Қуат - максимум | 2.1W |
| Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Монтаж түрі | Surface Mount |
| Пакет / Корпус | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Жабдықтаушының құрылғы пакеті | 8-SO |
| Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
|---|---|
| Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
| Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
| Қор санаты | Қол жетімді қор |
