Басу | Суреттеме |
Бөлімнің күйі | Obsolete |
---|---|
FET түрі | P-Channel |
Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
Ағымдағы кернеуге дейін төгу (Vdss) | 60V |
Ағымдағы - үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C | 280mA (Ta) |
Қозғалтқыштағы кернеу (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate заряды (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Кіріс сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 18V |
FET ерекшелігі | - |
Қуатты бөлу (максимум) | 700mW (Ta) |
Жұмыс температурасы | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Монтаж түрі | Through Hole |
Жабдықтаушының құрылғы пакеті | E-Line (TO-92 compatible) |
Пакет / Корпус | E-Line-3 |
Rohs күйі | Rohs сәйкес келеді |
---|---|
Ылғалыс сезімталдығы (MSL) | Жатпайды |
Өмірлік цикл мәртебесі | Ескірген / өмірдің соңы |
Қор санаты | Қол жетімді қор |